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IGBT

東微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件結構，以得到更低的導通壓降與更小的開關損耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多個系列產品，涵蓋600V~1350V電壓，適合應用于光伏儲能逆變、直流充電樁、汽車主驅、UPS等領域。公司亦開發出超高速系列（E系列）TGBT，工作頻率達到60-100KHz，可以在滿足電源系統進一步高頻化的同時，實現更高的效率。

下載資料

Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	I_C (A)	V_{th_typ}(V)	V_on(V)
Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	V_cesat	V_f
All TO-247 TO-220F TO-220 TO-263 TO-252 TO-247-plus TO-247-4L		All 20	All 1350 650 600 800 1200 750

封裝	料號	VGE (V)	BV (V)	IC (A) TA=25	Vth_typ(V)	Von(V) Vcesat	Von(V) Vf

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