中低壓SGTMOS系列
東微的SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品采用半浮柵結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結(jié)構(gòu)和SGT結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點(diǎn)。SFGMOS系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、同步整流等領(lǐng)域中。
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